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LXPSEMI SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻，開關(guān)損耗，高溫運行和導(dǎo)熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和功率密度，并使得系統(tǒng)的整體成本降低。瀾芯半導(dǎo)體碳化硅MOSFET具有750V至1700V的擴展電壓范圍，采用先進的工藝技術(shù)平臺，具有杰出的開關(guān)性能和極低的單位面積導(dǎo)通電阻。

瀾芯半導(dǎo)體SiC MOSFET：

1.汽車級和工業(yè)級合格器件；

2.芯片結(jié)溫能力(TJ = 175°C,最高200°C)；

3.超高開關(guān)工作頻率和極低開關(guān)損耗；

4.低導(dǎo)通電阻；

5.柵極驅(qū)動可兼容現(xiàn)有IC；

6.穩(wěn)定的超快速本體二極管。

瀾芯SiC MOSFET專為滿足汽車和工業(yè)應(yīng)用的嚴(yán)格要求而設(shè)計。

瀾芯半導(dǎo)體SiC MOSFET主要特點包括：