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瀾芯IGBT芯片采用先進(jìn)的微溝槽器件結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品具有更低的導(dǎo)通壓降與更小的開(kāi)關(guān)損耗。目前公司在開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品涵蓋600V~1350V電壓，適合應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能逆變、直流充電樁、汽車(chē)主驅(qū)、UPS等領(lǐng)域。